4200-SCS Источник питания постоянного тока

Артикул:
11773
Производитель:
Keithley Instruments
Цена по-запросу
Под заказ

Система измерения параметров полупроводников KEITHLEY 4200-SCS

Технические характеристики

Измерительные модули для KEITHLEY 4200-SCS
Измерительные модули предназначены для снятия ВАХ на постоянном токе. Они устанавливаются в слоты базового блока системы 4200-SCS. На одно шасси 4200- SCS возможно установить до 9 измерительных модулей 4210-SMU или 4200-SMU
Модули средней мощности 4200-SMU

  • 7 токовых диапазонов для генерации и измерения :
    от 100 нА (полная шкала) до 100 мA (полная шкала).
    Разрешение:
    от 100 фA до 100 нA – в режиме измерения
    от 5 пA до 5 мкА - в режиме генерации
  • 4 вольтовых диапазона для генерации и измерения
    от 200 мВ до 200 В
    Разрешение:
    от 1 мкВ до 200 мкВ - в режиме измерения
    от 5 мкВ до 5 мВ - в режиме генерации
    Максимальное выходное напряжение
    21 В при токе 100 мА
    210 В при токе 10 мА
  • Опциональный токовый предусилитель (4200-PA) расширяет токовые диапазоны дополнительно:
    Диапазоны : 1 пА, 10 пА, 100 пА, 1 нА, 10 нА

Модули большой мощности 4210-SMU

  • 9 токовых диапазонов для генерации и измерения :
    от 100 нА (полная шкала) до 1 A (полная шкала).
    Разрешение:
    от 100 фA до 1 мкA – в режиме измерения
    от 5 пA до 50 мкА - в режиме генерации
  • 4 вольтовых диапазона для генерации и измерения
    от 200 мВ до 200 В
    Разрешение:
    от 1 мкВ до 200 мкВ - в режиме измерения
    от 5 мкВ до 5 мВ - в режиме генерации
    Максимальное выходное напряжение
    21 В при токе 1 А
    210 В при токе 10 мА
  • Опциональный токовый предусилитель (4200-PA) расширяет токовые диапазоны дополнительно:
    Диапазоны : 1 пА, 10 пА, 100 пА, 1 нА, 10 нА

Токовый предусилитель 4200-PA
Расширяет токовые диапазоны дополнительно:
1 пА, 10 пА, 100 пА, 1 нА, 10 нА

Диапазон тока Макс.напряжение Разрешение
(измерение)
Точность
измерения
±(% от шкалы + А)
Разрешение
(генерация)
Точность
генерации
±(% от шкалы + А)
4210-SMU 1 А 21 В 1 мкА 0,100% + 200 мкА 50 мкА 0,100% + 300 мкА
100 мА 210 В 100 нА 0,045% + 3 мкА 5 мкА 0,050% + 15 мкА
4200-SMU и 4210-SMU 100 мА 21 В 100 нА 0,045% + 3 мкА 5 мкА 0,050% + 15 мкА
10 мА 210 В 10 нА 0,037% + 300 нА 500 нА 0,042% + 1,5 мкА
1 мА 210 В 1 нА 0,035% + 30 нА 50 нА 0,040% + 150 нА
100 мкА 210 В 100 пА 0,033% + 3 нА 5 нА 0,038% + 15 нА
10 мкА 210 В 10 пА 0,050% + 600 пА 500 пА 0,060% + 1,5 нА
1 мкА 210 В 1 пА 0,050% + 100 пА 50 пА 0,060% + 200 пА
100 нА 210 В 100 фА 0,050% + 30 пА 5 пА 0,050% + 30 пА
4200-SMU и 4210-SMU
с опцией 4200-PA
10 нА 210 В 10 фА 0,050% + 1 пА 500 фА 0,060% + 3 пА
1 нА 210 В 3 фА 0,050% + 100 фА 50 фА 0,060% + 300 фА
100 пА 210 В 1 фА 0,100% + 30 фА 15 фА 0,100% + 80 фА
10 пА 210 В 0,3 фА 0,050% + 15 фА 5 фА 0,500% + 50 фА
1 пА 210 В 100 нА 1,000% + 30 фА 1,5 фА 1,000% + 40 фА

Диапазон
напряжения
Максимальный
ток
Разрешение
измерения
Точность
измерения
±(% от шкалы + А)
Разрешение
(генерация)
Точность
генерации
±(% от шкалы + А)
4200-SMU 4210-SMU
200 В 10,5 мА 105 мА 200 мкВ 0,015% + 3 мВ 5 мВ 0,02% + 15 мВ
20 В 105 мА 1,05 мА 20 мкВ 0,01% + 1 мВ 500 мкВ 0,02% + 1,5 мВ
2 В 105 мА 1,05 мА 2 мкВ 0,012% + 150 мкВ 50 мкВ 0,02% + 300 мкВ
200 мВ 105 мА 1,05 мА 1 мкВ 0,012% + 100 мкВ 5 мкВ 0,02% + 150 мкВ

Интегрированный модуль заземления:

  • Выходной разъем: двойной триаксиальный, тройной клемник
  • Максимальный ток 2,6 А при двойном триаксиальном подключении или 4,4 А через тройной клемник
  • Нагрузочная емкость – не ограничена
  • Сопротивление кабеля: силового – менее 1 Ом
  • Сенсорного - менее 10 Ом.

Измерение CV (вольт-фарадных) характеристик С-V измерения в системе 4200- SCS осуществляются с помощью:

  • встраиваемой опции CV-метрии 4210-CVU
  • опции расширения для проведения мощной CV-метрии 4200-CVU-POWER
  • квазистатическим методом CV-метрии при помощи модулей 4200-SMU или 4210-SMU
    с опцией 4200-PA
  • новым патентованным методом ультранизкочастотной CV-метрии (10 мГц...10 Гц) при помощи модулей 4200-SMU или 4210-SMU с опцией 4200-PA

Опция CV-метрии 4210-CVU может быть установлена в систему которая уже эксплуатируется или заказана при первоначальной комплектации системы.
Встроенный C-V модуль обеспечивает C-V измерения с параметрами:

  • частотный диапазон от 1 кГц до 10 МГц
    наилучшее разрешение тестового сигнала 1 кГц
    выходной уровень 10 мВ...100 мВ
  • диапазоны измерения: 1пФ/10 пФ/100 пФ/1 нФ/10 нФ/100 нФ/1 мкФ (зависит от частоты тестового сигнала)
  • внутренний источник постоянного смещения в диапазоне ±30 В (60 В диф.)
    разрешение 1 мВ
    максимальный ток 10 мА
  • режим свипирования
    параметры свипирования: постоянное смещение, частота, переменное напряжение
    закон: линейный,пользовательский
    количество точек: 4096
  • Измеряемые параметры: Cp-G, Cp-D, Cs-Rs, Cs-D, R-jX, Z-Theta

Высокоскоростная цифровая архитектура позволяет строить графики С-V в режиме реального времени.
4210-CVU содержит широкий набор образцов программ, библиотек тестов и примеров экстракции параметров:

  • Стандартная C-V метрия: для обычных МОП-транзитовов, диодов и конденсаторов
  • MOScap: Измерение C-V на МОП-конденсаторах
  • MOSFET: Измерение C-V на МОП-транзисторах
  • Время жизни: Определение скорости генерации и время жизни носителей, (график Зебрста) для МОП-конденсаторов
  • Мобильные ионы: Определение подвижного заряда с помощью измерений на разных темепературах
  • Емкость: Снятие характеристик как C-V так и C-f (от частоты) на МИМ (металл –изолятор –металл) конденсаторах
  • PNjunction: Измерение емкости p n перехода или диода Шоттки как функции приложенного постоянного смещения
  • Photo Voltaic cell: Измерение как прямой так и обратной характеристики ячеек солнечных батарей cell
  • BJT: Измерение емкости (при нулевом смещении) между выводами биполярного транзистора (База-эммитер, База-коллектор, Эммитер-коллектор)
  • I-V/C-V с переподключением: Демонстрация с использованием измерительных модулей SMUs, опции CVU, и переключательных матриц and 707A/708A в одном проекте
  • Емкость межсоединений: Измерение C-V малой межконтактной емкости на подложке
  • Нанопроволоки: Проведение C-V измерений на двухвыводном приборе на базе нанопроволоки
  • Flash: Проведение C-V измерений на типичном приборе памяти на базе плавающего затвора

Опция расширения для проведения мощной CV-метрии 4200-CVU-Power

  • Диапазоны измерения от 1 пФ до 1 нФ
  • Тестовый сигнал от 100 кГц до 10 МГц (10 мВ...100 мВ)
  • Источник постоянного смещения ±200 В (400 В диф.) с разрешением 5 мВ
  • Максимальный ток 100 мА (для 4200-SMU) или 300мА (для 4210-SMU)
  • Измеряемые параметры: Cp-Gp, DCV, временные метки

4200-CVU-Power применяется для тестирования:

  • мощные устройства
  • дисплеи
  • LDMOS
  • устройства памяти

Квазистатический способ CV-метрии

  • Два модуля 4200-SMU или 4210-SMU с опцией 4200-PA
  • Низкий уровень шумов благодаря уникальному методу Ramp Rate
  • Поддержка постоянного смещения ±200 В
  • Библиотеки тестов с KTEI

Применяется для тестирования:

  • CMOS малой мощности
  • некоторые типы дисплеев (индикаторов)
  • различные устройства с низким током утечки

Ультранизкочастотная CV-метрия

  • Два модуля 4200-SMU или 4210-SMU с опцией 4200-PA (частота 10 мГц...10 Гц)
  • Сверхнизкий уровень шумов
  • Диапазон измерения от 1 пФ до 10 нФ
  • Экстракция:Cp-Gp, Cp-D, Cs-Rs, Cs-D, R-jX, Z-Theta, DCV, частота, временные метки

Применяется для тестирования:

  • CMOS
  • органическая электроника (OLED, OFET, OPVC)
  • устройства памяти
  • тонкопленочные транзисторы (TFT)

Ультрабыстрое тестирование
В системе 4200-SCS доступно два вида генераторов импульсов:

  • Генератор импульсов типа 4220-PGU
  • Модуль ультрабыстрого тестирования 4225-PMU

Обе модели поддерживают:

  • Два выходных канала
  • Стандартный (2-уровневый) импульс
  • Segment Arb
  • Формирование сигнала произвольной формы
  • Каждый выходной сигнал имеет два диапазона выхода:
    10 В (высокий импеданс; 5 В с 50 Ω)
    40 В (высокий импеданс; 20 В с 50 Ω)

Модель 4220-PGU является только двуканальным генератором импульсов напряжения.
Модуль ультрабыстрого тестирования 4225-PMU выполняет:
импульсное тестирование: генерация импульса/измерение (аналогично работе измерительных модулей)
переходная ВАХ: захват формы; интегрированные измерения тока и напряжения во времени
импульсный генератор :двух и мультиуровневый импульс; генерация сигналов произвольной формы; генерация пользовательской формы сигнала из сегментов Segment ARB
Для работы с малыми токами используются модули предусилителей/коммутаторов 4225-RPM
Амплитудные хараткеристики генератора 4225-PMU и 4220-PGU

Параметр Импеданс Диапазон 10 В Диапазон 40 В
Амплитуда на выходе 50 Ом - 1 МОм -10 В...+ 10 В -40 В...+40 В
50 Ом - 50 Ом -5 В...+ 5 В -20 В...+ 20 В
Точность ±(0,5% + 10 мВ) ±(0,2% + 20 мВ)
Разрешение 50 Ом - 1 МОм
50 Ом - 50 Ом
Уровень шума, скз (типичное) ±(0,3% + 1 мВ) ±(0,1% + 5 мВ)
Выходной импеданс 50 Ом 50 Ом

Временные и частотные хараткеристики генератора 4225-PMU и 4220-PGU

Параметр Диапазон 10 В
(только генерация)
Диапазон 10 В
(с измерением)
Диапазон 40 В
(только генерация)
Диапазон 40 В
(с измерением)
Частотный диапазон 1 Гц...50 МГц 1 Гц...8,3 МГц 1 Гц...10 МГц 1 Гц...3,5 МГц
Временное разрешение 10 нс 10 нс 10 нс 10 нс
Джиттер, скз (типичное) 0,01% + 200 пс 0,01% + 200 пс 0,01% + 200 пс 0,01% + 200 пс
Период 20 нс...1с 120 нс...1с 100 нс...1с 280 нс...1с
Длительность импульса 10 нс...(период - 10 нс) 60 нс...(период - 10 нс) 50 нс...(период - 10 нс) 140 нс...(период - 10 нс)
Программируемое
время перехода
10 нс...33 мс 20 нс...33 мс 30 нс...33 мс 100 нс...33 мс

Измерение тока (4225-PMU)

Параметр Диапазон 10 В Диапазон 40 В
Диапазон измерения тока 10 мА 200 мА 100 мкА 10 мА 800 мА
Точность ±(0,25% + 100 мкА) ±(0,25% + 250 мкА) ±(0,25% + 1 мкА) ±(0,5% + 100 мкА) ±(0,25% + 3 мА)
Шум 15 мкА 50 мкА 75 нА 5 мкА 200 мкА

Измерение тока (4225-RPM)

Параметр Диапазон 10 В
Диапазон измерения тока 100 нА 1 мкА 10 мкА 100 мкА 1 мА 10 мА
Точность ±(0,5% + 1 нА) ±(0,5% + 1 нА) ±(0,5% + 30 нА) ±(0,5% + 100 нА) ±(0,5% + 1 мкА) ±(0,5% + 10 мкА)
Шум 200 нА 2 нА 5 нА 50 нА 300 нА 1,5 мкА

Измерение напряжения (4225-PMU и 4225-RPM)

±10 В
4225-PMU
±40 В
4225-PMU
±10 В
4225-RPM
Точность ±(0,25% + 10 мВ) ±(0,25% + 40 мВ) ±(0,25% + 10 мВ)

Для ультрабыстрого тестирования NBTI/PBTI полупроводников рекомендуется опция 4200-BTI-A. Это идеальное средство автоматического тестирования не только на уровне подложки, но и при использовании кассет.
Опция 4200-BTI-A включает в себя:

  • один модуль ультрабыстрого тестирования 4225-PMU
  • два модуля предусилителей/коммутаторов 4225-RPM
  • програмное обеспечение для автоматического тестирования (ASC)
  • тесты для ультрабыстрого BTI тестирования
  • комплект кабелей
Похожие товары
Цена по запросу
Под заказ
37801 ₽
Под заказ
37801 ₽
Под заказ
37801 ₽
Под заказ
Цена по запросу
Под заказ

© 2025 РОСКИПСНАБ